產品名稱
ON-S200?磁控濺射薄膜沉積設備
產品特性
·?工藝腔室（PM）極限真空????????≤1.0×10-7?Pa
·?工藝腔室（PM）漏率????????≤1×10-10Pa?m3/s
·?裝卸腔室（LoadLock）極限真空????????≤1.0×10-5Pa
·?裝卸腔室（LoadLock）漏率????????≤1×10-8?Pa?m3/s
·?裝卸腔室????????一次可以存儲多個基片（6-25片）,?自動基片傳輸
·?基板加熱/冷卻????????加熱（≥900°C）/冷卻（液氮/水）
·?基片尺寸????????最大Ф220mm
·?基片轉速????????0-40rpm
·?基片行星結構????????可選配
·?基片偏壓????????RF/DC?偏置
·?濺射方向????????向上、向下、斜向、側向可選
·?磁控源數量????????根據用途和配置選擇，例如可以11個2’’共焦+2個2’’離軸，或者6個3’’共焦+1個3’’直接，?
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 或者5個4’’共焦，或者5個3’’共焦+1個6’’直接，等等?
·?靶基距（TS）????????調節范圍最大100mm
·?靶材shutter????????有
·?濺射電源????????支持DC、DC?Plus、RF、HiPIMS?電源
·?氣體導入（MFC）????????Ar、O?、N?、H??等
·?離子源????????霍爾離子源、考夫曼離子源、RF離子源可選
·?膜厚儀????????可選配
·?控制系統????????整機全自動操作（也可手動操作或者半自動操作）
·?安全????????工業標準安全互鎖，報警
·?安裝條件????????據設備型號和配置確定
·?鍍膜重復性????????1σ<1%，5Pts，10mm?EE，SEM
·?膜厚均勻性????????1σ<1%，5Pts，10mm?EE，SEM
·?膜厚精度????????0.1nm
應用范圍
·?適用于200?mm及以下尺寸樣品的金屬、氧化物、氮化物、碳化物等薄膜材料的沉積生長，沉積薄膜種類：
? 金屬薄膜：Al、Cu、Cr、Ti、Ta、Ni、Mo、W、Au、Ag、Pt、Ru、Rh、Ir、NiCr、CrCu、AlCu、TiW等
? 磁性薄膜：Co、CoFe、NiFe、NiFeB、CoFeB、CoCr、CoPt、CoCrPt、IrMn、MnPt等
? 超導薄膜：Nb、NbN等
? 氮化物薄膜：Si3N4、AlN/AlScN、TiN、CrN、TaN等
? 硅化物薄膜：MoSi2、CrSi、TiSi等
? 碳化物薄膜：SiC、C等
? 氧化物薄膜：SiO2、Ta2O3、TiO2、Al2O3、MgO、ZnO、ITO、PZT等
? 紅外薄膜：Si、Ge等
·?可以應用于半導體芯片、自旋電子學器件、磁性存儲介質、MEMS器件、激光器、薄膜傳感器、
? ?導電金屬/電阻合金/絕緣薄膜、光學薄膜、?太陽能光伏薄膜等生產制造。
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